全球第三類半導體產業正陷入史上最嚴重動盪期，美、中、台三地 競逐態勢出現明顯變化。全球碳化矽（SiC）龍頭的美國Wolfspeed傳 出即將聲請破產重整之際，台灣台積電亦傳出將解散氮化鎵（GaN） 研發團隊。台積電此舉主因與大陸近年大舉投入第三類半導體領域， 導致市場競爭劇烈有關。
必須注意的是，儘管第三類半導體快速崛起，但並非將完全取代傳 統第一類與第二類半導體材料，而是三者在未來市場各自發揮所長， 形成共存且分工明確局面。第一類半導體，如矽與鍺，用途廣泛但主 要應用在邏輯晶片領域；第二類半導體，如砷化鎵、磷化銦，擅長處 理高頻訊號，廣泛用於手機功率放大器與光纖通訊；而第三類半導體 ，如碳化矽與氮化鎵，則因承受高電壓、高頻通訊、高溫運作能力優 異，廣泛應用於電動車、5G基地台、衛星通訊與風力發電等高端領域 ，市場潛力巨大。
Wolfspeed破產重整事件引發全球關注。導致Wolfspeed重整原因， 除了電動車市場需求放緩外，原本期待美國政府的《晶片法案》高額 補助款，卻因未能達成條件延後，財務狀況因而惡化，此外，大陸廠 商如天科合達等快速崛起，市場競爭激烈，SiC價格下滑，加劇其營 運壓力。然而Wolfspeed此舉卻令全球SiC供應鏈產生劇烈震盪，主要 合作夥伴如日本瑞薩電子將面臨約新台幣509億元巨額損失。
另一方面，大陸的氮化鎵龍頭英諾賽科正以驚人的成本競爭力，改 變全球市場遊戲規則。透過多年來自建8吋矽基氮化鎵平台與垂直整 合模式，大幅降低生產成本，迫使包括台積電、英飛凌等國際大廠紛 紛重新審視自身策略。此一低價攻勢不僅使大陸GaN產品進入全球電 動車、消費性電子甚至國防工業，更可能與歐洲、東南亞業者合作， 擴大國際市場影響力，改變全球氮化鎵市場版圖。
此外，氮化鎵的技術價值早已超越商業範疇，成為美中科技戰的關 鍵材料。相比傳統砷化鎵，氮化鎵具備更高功率、更高頻率與耐高溫 等特性，廣泛應用於軍用雷達、衛星通訊與6G技術。大陸早已將氮化 鎵戰略性部署於衛星、無人機等軍用領域，透過嚴格出口管制與技術 控制，形成完整軍民兩用產業鏈，甚至採取不惜成本策略推動技術突 破。美國若無法在材料、製程與供應鏈整合上重建領先優勢，未來可 能在通訊科技與軍事應用中逐漸失去主導權。
綜上所述，第三類半導體不僅是商業與技術競爭，更是美中科技戰 略競逐核心。誰能掌握材料、製程、成本控制與市場，就能決定未來 半導體產業的領導地位與全球科技戰略走向。
作者：中華經濟研究 院輔佐研究員/廖明輝
資料來源：中國時報 A10/海納百川 2025/07/09